非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管关键工艺研究

• 作者: 关峰 姚琪 惠官宝 曹占锋 李正亮 高锦成
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: 铟镓锌氧化物薄膜晶体管 刻蚀阻挡层 N2 O等离子体 阈值电压
• 年，卷（期）: 2016,（9）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 2946-2949
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2054字
• 语种: 中文

摘要

为优化金属氧化物薄膜晶体管（ IGZO-TFT）的特性，采用射频磁控溅射法沉积IGZO薄膜作为半导体活性层，制备出具有刻蚀阻挡层（ Etch stop layer ，ESL）结构的IGZO TFT，在2．5 G试验线上研究了IGZO沉积过程中O2浓度、IGZO沉积后N2 O等离子体处理、ESL的制备温度和ESL沉积过程中N2 O／SiH4的比例等关键工艺条件对IGZO TFT的阈值电压（ Vth ）的影响。实验结果表明：IGZO沉积过程中O2浓度的增加、IGZO沉积后N2 O等离子体处理和ESL制备温度的降低会导致IGZO TFT的Vth正偏移。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	惠官宝		4	36	2.0	4.0
2	姚琪		2	1	1.0	1.0
3	高锦成		1	1	1.0	1.0
4	李正亮		1	1	1.0	1.0
5	曹占锋		1	1	1.0	1.0
6	关峰		1	1	1.0	1.0