In-Ta共掺杂SnO2的第一性原理研究

• 作者: 史凯鹏 张海军 李静雅 王君 秦国强 赵茜
• 来源期刊: 石家庄铁道大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 SnO2 掺杂
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 材料工程
• 页码范围: 88-91,108
• 页数: 5页
• 分类号: O471.5
• 字数: 2169字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13319/j.cnki.sjztddxxbzrb.2017.04.17

摘要

利用第一性原理计算In和Ta掺杂SnO2的晶体结构、电子能带和态密度.结果表明In、Ta的加入,令费米能级上移进入导带,带隙值减小,红外吸收能力增强;当In和Ta掺入量相同(12.5％或25％时),表现为绝缘体性质;当In的含量一定,Ta含量的增加会提高结构热稳定性,且表现为金属性质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦国强	石家庄铁道大学材料科学与工程学院	17	34	3.0	5.0
2	李静雅	石家庄铁道大学材料科学与工程学院	1	3	1.0	1.0
3	赵茜	石家庄铁道大学材料科学与工程学院	1	3	1.0	1.0
4	史凯鹏	石家庄铁道大学材料科学与工程学院	1	3	1.0	1.0
5	张海军	石家庄铁道大学材料科学与工程学院	1	3	1.0	1.0
6	王君	石家庄铁道大学材料科学与工程学院	1	3	1.0	1.0