MBE制备GaN纳米柱阵列的光学特性

• 作者: 冉宏霞 刘瑞峰 张雨阳 王硕 范滔 高向明
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延(MBE) GaN纳米柱阵列 反射光谱 光致发光光谱 Ⅴ/Ⅲ比
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 材料与结构
• 页码范围: 21-25
• 分类号: TB383|TN304.23
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2017.01.004

摘要

使用U-4100紫外可见光光度计和QM 40稳态/瞬态荧光光谱仪分别对不同Ⅴ/Ⅲ比分子束外延(MBE)制备的GaN纳米柱阵列进行了测试,分析了Ⅴ/Ⅲ比对GaN纳米柱表面形貌及发光特性的影响.反射光谱、透射光谱和室温稳态光致发光光谱结果表明:MBE制备的GaN纳米柱阵列其Ⅴ/Ⅲ比直接影响纳米柱的带边发光、黄带发光、蓝带发光和光吸收等光学特性.当波长为480 nm蓝光段时,纳米柱有最强的反射能力.纳米柱Ⅴ/Ⅲ比为6∶1时反射率峰值最大,约为55％,且峰值随Ⅴ/Ⅲ比的变化交替变化.纳米柱Ⅴ/Ⅲ比为8∶1时透射率最大.纳米柱Ⅴ/Ⅲ比为10∶1时黄带发光几乎消失,且365 nm附近的带边发光和440 nm附近的蓝带发光增强.拟合结果中370 nm为主要的带边发光峰.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高向明	重庆师范大学物理与电子工程学院	7	26	2.0	5.0
2	王硕	重庆师范大学物理与电子工程学院	4	2	1.0	1.0
3	冉宏霞	重庆师范大学物理与电子工程学院	2	1	1.0	1.0
4	范滔	重庆师范大学物理与电子工程学院	1	1	1.0	1.0
5	刘瑞峰	重庆师范大学物理与电子工程学院	3	7	1.0	2.0
6	张雨阳	重庆师范大学物理与电子工程学院	1	1	1.0	1.0