具有86mV/dec亚阈值摆幅的MoS2/SiO2场效应晶体管

• 作者: 任伟 何佳铸 俞文杰 刘强 刘新科 刘畅 张栋梁 王翼泽 蔡剑辉 赵清太
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: MoS2场效应晶体管 良好的亚阈值斜率 SiO2栅介质 界面态密度
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 页码范围: 543-549
• 页数: 7页
• 分类号: TN386.2
• 字数: 2146字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2017.05.006

摘要

在SiO2/Si(P++)衬底上制备了多层MoS2背栅器件并进行了测试.通过合理优化和采用10 nm SiO2栅氧,得到了良好的亚阈值摆幅86 mV/dec和约10 7倍的电流开关比.该器件具有较小的亚阈值摆幅和较小的回滞幅度,表明该器件具有较少的界面态/氧化物基团吸附物.由栅极漏电造成的漏极电流噪声淹没了该器件在小电流(～ 10-13 A)处的信号,限制了其开关比测量范围.基于本文以及前人工作中MoS2器件的表现,基于薄层SiO2栅氧的MoS2器件表现出了良好的性能和潜力,显示出丰富的应用前景.