氧等离子体对少层MoS2及其场效应晶体管的影响研究

• 作者: 吴振华 张亚东 田汉民 贾昆鹏
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 二硫化钼 场效应晶体管 氧等离子体 拉曼光谱 掺杂
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 67-72
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 2138字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2020.05.010

摘要

通过氧等离子体对MoS2材料及其场效应晶体管进行处理,用AFM、拉曼光谱、XPS和I-V测试对材料和器件性能进行表征,系统研究了氧等离子体对MoS2材料及其器件性能的影响.实验结果表明,氧等离子体处理可以有效去除MoS2材料和器件制备过程中引入的有机杂质,将MoS2的表面粗糙度降低到了0.27 nm.同时氧等离子体将表层MoS2氧化成MoO3,降低了器件接触区域MoS2与金属之间的费米能级钉扎效应,使器件开关比高达3.3×106.对MoS2器件沟道进行处理时,氧离子穿过MoO3插入到MoS2晶格中从而对沟道形成p型掺杂.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田汉民	河北工业大学电子信息工程学院电子材料与器件天津重点实验室	24	41	4.0	5.0
2	张亚东	河北工业大学电子信息工程学院电子材料与器件天津重点实验室	2	0	0.0	0.0
6	贾昆鹏	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点研究室	4	15	1.0	3.0
7	吴振华	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点研究室	5	10	2.0	3.0