杂质吸附对背栅MoS2场效应晶体管电学性能的影响

• 作者: 俞文杰 刘强 刘新科 刘晨鹤 张栋梁 蔡剑辉 陈治西 马忠权
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: MoS2背栅场效应晶体管 杂质吸附 不同的扫描条件 回滞窗口 亚阈值斜率
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 1367-1371
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 1966字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2018.06.003

摘要

为了探究MoS2(二硫化钼)薄膜吸附的杂质分子对载流子输运以及相关器件的电学性能造成的影响,制备了多层MoS2背栅场效应晶体管.实验结果表明:当MoS2器件的沟道暴露在空气中时,在不同的偏压条件和扫描条件下,器件表现出不同的回滞窗口和不同的亚阈值斜率.因此,只有减小了外界吸附分子的影响,才能获得具有稳定电学性能的MoS2器件,并确保迁移率、亚阈值斜率、开启电压等重要电学参数的可靠性.