低能氩等离子处理介电层表面对ZnO薄膜晶体管性能影响

• 作者: 周晓静 张继伟 杨新荣 梁凌燕 王海飞
• 来源期刊: 低温物理学报
• 关键词: 氧化锌薄膜晶体管 低能亚等离子体 电学特性
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 页码范围: 31-38
• 页数: 8页
• 语种: 中文

摘要

采用磁控溅射室温工艺制备了底栅结构ZnO基薄膜晶体管,其介电层表面采用低能Ar等离子体处理.结构表明等离子处理提高了器件的电学性能,即阈值下降36％,亚阈值斜率减少47％,开启电压从-15 V变为0V.但是,经等离子处理的器件表现出源漏电流-栅电压(IDS-VG)迟滞和阈值频移现象.这说明Ar等离子体处理在提高器件电学性能的同时会降低器件的电学稳定性.我们基于溅射损伤和态密度变化规律解释了这种矛盾,并认为介电表面的离子损伤对ZnO基薄膜晶体管的电学稳定性会产生重要影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周晓静		10	18	2.0	4.0
2	王海飞		10	12	2.0	2.0
3	杨新荣		6	6	2.0	2.0
4	梁凌燕		1	0	0.0	0.0
5	张继伟		1	0	0.0	0.0