基于有机薄膜晶体管电特性曲线获取迁移率方法的研究

• 作者: 刘启东 尹飞飞 徐征 陈跃宁
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 工学
• 关键词: 有机薄膜晶体管(OTFT) 场效应迁移率 栅电压最大值
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 所属期刊栏目: 光电子器件和系统
• 页码范围: 1174-1179
• 页数: 6页
• 分类号: TN253
• 语种: 中文
• DOI: 10.16136/j.joel.2017.11.0063

摘要

场效应迁移率是描述有机薄膜晶体管(OTFT)性能的重要参数之一,目前OTFT场效应迁移率主要根据实验测得OTFT电特性曲线通过拟合计算方法获得.本文针对这种方法进行深入研究发现,OTFT的场效应迁移率与其工作状态有关.在线性工作状态下,OTFT的线性区场效应迁移率随着栅电压的增加而增大;在饱和工作状态下,当漏电压VD＞1.5VGmax时,饱和区场效应迁移率为一定值,表明采用此值表征OTFT的电性能更加客观和精确.