4H-SiC高压肖特基二极管研制

• 作者: 吴昊 李永平 李玲 王勇 王永维
• 来源期刊: 智能电网
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 肖特基势垒二极管 多重场限环
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 所属期刊栏目: 高压大功率SiC 材料、器件及应用
• 页码范围: 786-789
• 页数: 4页
• 分类号: TN311
• 字数: 2448字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14171/j.2095-5944.sg.2017.08.010

摘要

采用多重场限环终端实现了一种高压4H-SiC肖特基二极管.基于Medici仿真计算结果,并利用两环简化模型结构,给出了耐压5800 V终端结构各个场限环之间的优化间距.终端整体仿真结果表明:该优化结构通过将耗尽区边界扩展,很好地抑制了结边缘部分的电场集中效应,击穿时所有场限环的峰值电场基本相同,达到了优化设计的目的.通过流片验证,采用该终端结构设计的4H-SiC肖特基势垒二极管击穿电压大于5500 V,达到理想值的90％以上,充分验证了该终端设计方法的可行性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王勇	中国电子科技集团公司第十三研究所	53	98	6.0	7.0
2	王永维	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	7	2.0	2.0
3	李永平		3	8	2.0	2.0
4	吴昊		6	16	2.0	3.0
5	李玲		4	4	1.0	1.0