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摘要:
采用金属有机化合物气相淀积法(MOCVD)在蓝宝石上生长InxGa1-xN/GaN晶体薄膜,GaN缓冲层的厚度为2.5μm,InxGa1-xN晶体薄膜的厚度大约800 nm,通过光致发光光谱仪测量样品发光峰的峰值,确定铟镓氮晶体薄膜中铟分布的均匀性,取样品均匀性良好的铟镓氮晶片进行卢瑟福背散射实验,每个实验室测量6个样品,两个实验室共同完成,对数据进行分多层精确拟合分析,获得外延层中的xIn,xIn值由多层拟合结果的加权平均值和定值不确定度组成.研究结果表明:采用入射离子4He,能量为2000 keV,散射角为165°时,铟镓氮晶片中铟含量(x=20.46%)的相对测量不确定度为2.47%,包含因子k=2.
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 精确测定InxGa1-xN晶体薄膜中铟含量的卢瑟福背散射法研究
来源期刊 中国测试 学科
关键词 氮铟镓 金属有机化合物气相淀积法 卢瑟福背散射 测量不确定度
年,卷(期) 2017,(3) 所属期刊栏目 物理测试
研究方向 页码范围 15-18,57
页数 5页 分类号
字数 3651字 语种 中文
DOI 10.11857/j.issn.1674-5124.2017.03.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘运传 31 80 5.0 7.0
2 孟祥艳 29 80 5.0 7.0
3 周燕萍 28 51 4.0 5.0
4 王雪蓉 22 35 3.0 4.0
5 王康 8 13 2.0 3.0
6 王倩倩 5 7 1.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
氮铟镓
金属有机化合物气相淀积法
卢瑟福背散射
测量不确定度
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