MgxNi1-xMn2O4薄膜结构与电学特性研究

• 作者: 侯云 刘芳 张增辉 第文琦
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 镁掺杂 尖晶石氧化物 负温度系数
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 页码范围: 415-419
• 页数: 5页
• 分类号: TN371
• 字数: 3590字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2017.04.007

摘要

采用化学溶液沉积法在Al2O3衬底上生长了MgxNi1-xMn2O4(MNM,x=0,0.05,0.10,0.15,0.20)薄膜.通过x射线衍射仪和场发射扫描电子显微镜研究了Mg掺杂浓度对MNM薄膜的结构特性的影响,MNM薄膜均匀致密,具有良好的结晶性,为单一立方尖晶石结构.交温电流-电压特性研究显示,MNM薄膜的电输运特性符合小极化子变程跳跃电导模型,同时获得了不同Mg掺杂浓度的MNM薄膜的电阻率ρ、特征温度T0和电阻温度系数α.研究结果表明,Mg的掺杂对MNM薄膜的结构和电学特性都有一定的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘芳	上海理工大学材料科学与工程学院	43	162	8.0	10.0
2	侯云	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	7	18	3.0	3.0
3	第文琦	上海理工大学材料科学与工程学院	3	4	1.0	2.0
5	张增辉	上海理工大学材料科学与工程学院	5	58	3.0	5.0