锗烷浓度对非晶/微晶相变区硅锗薄膜结构及光电特性的影响

• 作者: 于威 傅广生 牛纪伟 范闪闪 路雪
• 来源期刊: 河北工业大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 等离子体增强化学气相沉积 硅锗合金薄膜 相变区及相变边缘 锗烷浓度 光敏性
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 页码范围: 83-87
• 页数: 5页
• 分类号: O756
• 字数: 3820字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14081/j.cnki.hgdxb.2017.03.015

摘要

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,制备了一系列从非晶到微晶相变区硅锗合金薄膜,研究了锗烷浓度对相变区及相变边缘硅锗薄膜微观结构和光电特性的影响.结果表明,锗烷的加入抑制了晶态硅的生长,使硅锗合金薄膜发生从晶态到非晶结构的转变.相变区硅锗薄膜为富硅合金薄膜,表现为纳米硅晶粒镶嵌于非晶硅锗网络的微观结构.随着锗烷浓度增加,合金薄膜光学带隙Eopt逐渐减小,表征薄膜结构有序性的结构因子F,呈先减小后增加趋势.当锗烷浓度为9％时,硅锗合金薄膜处在非晶/微晶相变边缘,薄膜具有较高的致密性,光敏性接近104,适用于叠层薄膜太阳能电池器件吸光层应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅广生	河北工业大学电子信息工程学院	184	817	13.0	17.0
3	于威	河北大学物理科学与技术学院	91	346	9.0	13.0
4	范闪闪	河北工业大学电子信息工程学院	5	2	1.0	1.0
8	路雪	河北工业大学电子信息工程学院	1	0	0.0	0.0
9	牛纪伟	河北大学物理科学与技术学院	1	0	0.0	0.0