器件特性参数对SiC MOSFET静动态 均流影响的实验研究

• 作者: 孙鹏 杨霏 柯俊吉 赵志斌 魏昌俊
• 来源期刊: 智能电网
• 学科: 工学
• 关键词: SiCMOSFET 器件特性参数 差异度 并联 静动态均流 器件筛选
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 所属期刊栏目: 高压大功率SiC 材料、器件及应用
• 页码范围: 757-764
• 页数: 8页
• 分类号: TN306
• 字数: 4999字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14171/j.2095-5944.sg.2017.08.005

摘要

碳化硅(SiC)MOSFET作为第三代半导体器件,与硅IGBT相比在高频、高温、高压的工况下性能更加优异.然而在并联应用中,不同器件之间较大的特性参数差异会影响并联均流的动静态特性.现有的SiC MOSFET并联均流研究并没有全面地分析器件参数对并联均流产生的影响.因此,测试了30个器件在通态电阻、阈值电压、跨导和寄生电容上的差异并理论分析了不同特性参数对并联动静态均流所造成的影响,设计了SiC MOSFET并联均流实验的平台,且在排除电路参数以及测量系统可能引入的误差的条件下,针对不同器件参数的差异度进行实验,最后综合理论分析和实验结果,得出SiC MOSFET不同器件特性参数的差异度分别对静动态均流的影响以及这些影响的综合作用关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨霏		14	36	3.0	5.0