氧气等离子处理对MIM结构ZrAlO薄膜电容性能的影响

• 作者: 任高潮 徐文彬
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: MIM电容 氧空位 ZrAlO 等离子 溅射 漏电流
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 60-63
• 页数: 4页
• 分类号: TN604
• 字数: 2974字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2017.04.012

摘要

探讨了氧气等离子处理法对基于ZrA1O薄膜的MIM结构电容电学性能的低温工艺优化.ZrA1O薄膜用射频磁控溅射法制得,之后在不改变真空条件的情况下进行ZrAlO薄膜的氧气等离子处理.氧空位是影响薄膜电容性能的主要因素,通过改变氧气流量和等离子功率等处理条件可以影响氧空位的分布状态.通过分析受氧空位影响的电容电学性能,最终确定的等离子处理工艺可以使薄膜漏电流降低三个数量级以上,同时非线性电压系数减小约60％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐文彬	集美大学信息工程学院	10	21	3.0	4.0
2	任高潮	浙江大学信息与电子工程系	13	64	5.0	8.0