Cu/Zr纳米多层膜的调制结构与电阻率

• 作者: 关志良 张国君 张金钰 李娇 王涛
• 来源期刊: 中国材料进展
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米多层膜 晶界 界面 电阻率
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 青年园地
• 页码范围: 352-357
• 页数: 6页
• 分类号: TB383.1
• 字数: 4916字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7502/j.issn.1674-3962.2017.05.05

摘要

采用磁控溅射技术在单晶硅片上制备了恒定调制周期(λ =25,40 nm)、不同调制比(η=0.1～ 10.5)的Cu/Zr纳米多层膜.分别通过透射电子显微镜研究分析Cu/Zr多层膜的微观结构,通过四探针测量法系统研究Cu/Zr多层膜电阻率的尺寸效应.微观结构分析表明:Cu/Zr多层膜呈现周期性层状结构,层界面清晰.调制周期与调制比均显著影响Cu/Zr多层膜的电阻率(p).相同调制周期下,η大于临界调制比(ηc≈1)时,ρ几乎与η无关;而η小于此临界调制比(ηc≈1)时,p随η减小急剧增大.利用Fuchs-Sondheimer和Mayadas-Shatzkes(FS-MS)传输模型可以对实验数据进行很好的拟合,拟合结果表明:当η＞ηc时,晶界散射和界面散射协同作用是Cu/Zr多层膜电阻率变化的主控机制;当η＜ηc时,晶界散射成为多层膜电阻率变化的主导因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王涛	西安理工大学材料科学与工程学院	64	576	14.0	20.0
2	张国君	西安理工大学材料科学与工程学院	35	220	8.0	14.0
3	张金钰	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	11	12	3.0	3.0
4	关志良	西安理工大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
5	李娇	西安理工大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0