大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀工艺优化

• 作者: 刘建朋 孙艳 张思超 李欣 肖体乔 邓彪 陈宜方 陈烁
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: HSQ 深反应离子刻蚀 硅纳米柱 高宽比 硬X射线
• 年，卷（期）: 2017,（7）
• 所属期刊栏目: 微纳技术
• 页码范围: 73-77
• 页数: 5页
• 分类号: TN4
• 字数: 3302字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201729.170028

摘要

针对氢基硅倍半氧烷(hydrogen silsesquioxane,HSQ)作为深反应离子刻蚀(DRIE)掩膜形成大高宽比纳米硅立柱的工艺进行了系统研究.优化了刻蚀工艺中线圈功率、极板功率和气体流量参数,减小了横向刻蚀,使形貌垂直性得到了更好的控制,并实现了13.3 μm高度和低侧壁粗糙度的垂直硅纳米柱阵列,其高宽比(高度/半高宽)达到了36.利用不同的刻蚀工艺条件得到了不同侧壁形貌以及不同尺寸、高度的硅纳米柱结构.