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基于变温霍尔效应方法的一类n-GaN位错密度的测量
基于变温霍尔效应方法的一类n-GaN位错密度的测量
作者:
何菊生
张萌
李平
潘华清
邹继军
齐维靖
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
氮化镓
霍尔迁移率
位错密度
莫特相变
摘要:
结合莫特相变及类氢模型,采用浅施主能量弛豫方法,计算了一类常见n-GaN光电子材料的载流子迁移率,给出了精确测定其刃、螺位错密度的电学方法.研究表明,对于莫特相变材料(载流子浓度超过1018 cm?3),以位错密度Ndis、刃螺位错密度比β、刃位错周围浅施主电离能εD1、螺位错周围浅施主电离能εD2为拟合参数的载流子迁移率模型与实验曲线高度符合,拟合所得刃、螺位错密度与X射线衍射法或化学腐蚀方法的测试结果也基本一致.实验结果表明,莫特相变材料虽然载流子浓度高、霍尔迁移率低,但其位错密度却并不一定高过载流子浓度低、霍尔迁移率高的材料,应变也无明显差异,因此,莫特相变与刃、螺位错密度及两类位置最浅的施主均无关系,可能是位置较深的施主或其他缺陷所致,需要比一般杂质带高得多的载流子浓度.该方法适合霍尔迁移率在0 K附近不为零,霍尔迁移率曲线峰位300 K左右及以上的各种生长工艺、各种厚度、各种质量层次的薄膜材料,能够对迁移率曲线高度拟合,迅速给出莫特相变材料的相关精确参数.
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相关文献总数
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文献信息
篇名
基于变温霍尔效应方法的一类n-GaN位错密度的测量
来源期刊
物理学报
学科
关键词
氮化镓
霍尔迁移率
位错密度
莫特相变
年,卷(期)
2017,(6)
所属期刊栏目
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向
页码范围
248-255
页数
8页
分类号
字数
语种
中文
DOI
10.7498/aps.66.067201
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
李平
南昌大学现代教育技术中心
35
110
6.0
9.0
2
张萌
南昌大学材料科学与工程学院
69
569
12.0
20.0
3
潘华清
上饶职业技术学院机械工程系
6
7
2.0
2.0
4
何菊生
南昌大学科学技术学院
5
48
2.0
5.0
5
齐维靖
南昌大学材料科学与工程学院
4
1
1.0
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(0)
2017(0)
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研究主题发展历程
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氮化镓
霍尔迁移率
位错密度
莫特相变
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
主办单位:
中国物理学会
中国科学院物理研究所
出版周期:
半月刊
ISSN:
1000-3290
CN:
11-1958/O4
开本:
大16开
出版地:
北京603信箱
邮发代号:
2-425
创刊时间:
1933
语种:
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
总被引数(次)
174683
相关基金
江西省自然科学基金
英文译名:
Natural Science Foundation of Jiangxi Province
官方网址:
http://www.jxstc.gov.cn/ReadNews.asp?NewsID=861
项目类型:
学科类型:
期刊文献
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