P型Al0.25Ga0.75N电子结构和热电性质计算

• 作者: 孟立智 宋江 王保柱 王敏
• 来源期刊: 科技风
• 关键词: GaN及其合金Al0.25Ga0.75N VASP 第一性原理 热电优值
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 所属期刊栏目: 水利电力
• 页码范围: 219-220
• 页数: 2页
• 字数: 1726字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19392/j.cnki.1671-7341.201708182

摘要

能够实现热能和电能转换缓解能源紧张问题的热电材料已经被公认,为了提高材料的热电性能,最重要的是提高材料的热电优值.这里采用合金化来优化GaN的热电性质.主要采用基于密度泛函理论计算的软件VASP和基于玻尔兹曼理论的BoltzTraP软件对GaN以及Al0.25Ga0.75N进行了计算.通过计算得出GaN及其合金Al0.25Ga0.75N的能带结构,电导率,功率因子,塞贝克系数,热电优值.P型GaN的ZT在1100K时达到了0.039,P型的Al0.25Ga0.75N的ZT值在1100K时达到了0.661.Al0.25Ga075N的热电优值明显高于GaN的热电优值,合金化可以优化GaN的热电性质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王敏	河北科技大学信息科学与工程学院	19	14	2.0	3.0
2	王保柱	河北科技大学信息科学与工程学院	12	31	3.0	5.0
3	孟立智	河北科技大学信息科学与工程学院	2	0	0.0	0.0
4	宋江	河北科技大学信息科学与工程学院	2	1	1.0	1.0