电场对含空位缺陷硅结构影响的第一性原理研究

• 作者: 朱灿焰 李雷 毛凌锋 盛洁 秦汉
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 硅晶体 电场 空位缺陷 带隙 电容-电压特性 隧穿电流密度
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 10-17
• 页数: 8页
• 分类号: TN304|TB303
• 字数: 4300字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.03.002

摘要

用分子动力学模拟和第一性原理计算分析方法,研究电场对含空位缺陷硅结构的影响.分子动力学结果表明,硅(100)晶面处的空位数量,总体随着电场强度的增强而增加.当电场在8.90×106V/cm和1.35×107V/cm之间时,空位数达到最大饱和数值10,并保持稳定.第一性原理计算结果表明,能带结构中的缺陷能级等效于降低价带和导带之间的带隙值,导致空位结构中隧穿电流变大.此外,缺陷能级也会导致空位结构中的静态介电常数变大,从而引起电容-电压特性值变大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱灿焰	苏州大学智能结构与系统研究所	55	250	9.0	13.0
2	毛凌锋	苏州大学智能结构与系统研究所	14	28	3.0	4.0
3	秦汉	苏州大学智能结构与系统研究所	2	0	0.0	0.0
4	李雷	苏州大学智能结构与系统研究所	53	291	10.0	14.0
5	盛洁	苏州大学智能结构与系统研究所	9	50	4.0	7.0