The influence of MBE and device structure on the electrical properties of GaAs HEMT biosensors

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篇名	The influence of MBE and device structure on the electrical properties of GaAs HEMT biosensors
来源期刊	半导体学报（英文版）	学科
关键词
年，卷（期）	2018,（12）	所属期刊栏目
研究方向		页码范围	95-98
页数	4页	分类号
字数		语种	英文
DOI	10.1088/1674-4926/39/12/124007

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