p型掺杂ZnO薄膜的光致发光特性研究

• 作者: 姚婷婷 李刚 沈洪雪 马俊
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: p型掺杂 光致发光(PL)谱 磁控溅射 受主杂质 缺陷浓度 红移 蓝移
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 页码范围: 503-506
• 页数: 4页
• 分类号: TN36
• 字数: 3370字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11977/j.issn.1004-2474.2018.04.007

摘要

采用磁控溅射技术,以N2作为p型掺杂源,制备p型N掺杂ZnO薄膜,着重研究了不同掺杂量的N掺杂ZnO薄膜的光学特性.结果表明,掺杂ZnO薄膜在360 nm、380 nm处出现主荧光峰,409 nm、440 nm处出现次荧光峰,而且随着N掺杂量的不同,主、次荧光峰-峰位和强度都会发生变化.当O2:N2的体积流量比为15:5时,薄膜中N含量最大,荧光谱中发光峰强度最佳,霍尔效应检测薄膜具有明显的p型导电特征.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李刚	蚌埠玻璃工业设计研究院浮法玻璃新技术国家重点实验室	4	1	1.0	1.0
2	沈洪雪	蚌埠玻璃工业设计研究院浮法玻璃新技术国家重点实验室	2	0	0.0	0.0
3	马俊	蚌埠玻璃工业设计研究院浮法玻璃新技术国家重点实验室	2	0	0.0	0.0
4	姚婷婷	蚌埠玻璃工业设计研究院浮法玻璃新技术国家重点实验室	3	0	0.0	0.0