基片温度对真空蒸镀Ti/LiNbO3光学薄膜的影响

• 作者: 吕杨 汤卉 董鹏展
• 来源期刊: 徐州工程学院学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 真空蒸镀 Ti光学薄膜 基片温度
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 教授论坛
• 页码范围: 18-21
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2318字
• 语种: 中文

摘要

利用绿色真空蒸镀技术,在不同LiNbO3基片温度下制备Ti光学薄膜,研究不同LiN-bO3基片温度对Ti光学薄膜生长过程的影响,结合薄膜生长与原子迁移理论分析影响机理,优化基片温度.对样品表观形貌与薄膜、晶粒择优生长趋向进行分析.研究结果表明:180℃为5组温度中最合适的基片温度.此条件下,钛薄膜表面存在大量细晶,分布均匀,无晶界迁移,晶粒随机生长、尺寸小,无针孔,钛薄膜表面粗糙度(Rq)低,为25.4 nm,平整度较理想,为后续钛扩散铌酸锂光耦合器的制备提供了保障.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汤卉	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	44	78	4.0	6.0
2	董鹏展	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	2	0	0.0	0.0
3	吕杨	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	3	3	1.0	1.0