一种带有浮空阶梯场板的AlGaN/GaN SBD仿真

• 作者: 李志远 马亚超
• 来源期刊: 哈尔滨商业大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN SFFP-SBD 击穿电压 钝化层厚度 水平位置
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 能源与机械工程
• 页码范围: 463-466,482
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2661字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-0946.2018.04.016

摘要

研究了一种带有浮空阶梯场板的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管结构—SFFP-SBD(Stepped Insulator Floating Field Plate).该结构是结合浮空场板,阶梯场板的优点,在反向状态下,浮空阶梯场板和横向场板之间的静电荷影响沟道内的电场,在沟道内形成电场峰值,并且浮空阶梯场的钝化层较厚,场板向阴极方向延伸,浮空阶梯场板的调制沟道作用会更加明显,提升反向耐压效果明显.使用Silvaco TCAD软件对器件的浮空阶梯场板的钝化层厚度和水平位置进行优化,仿真结果显示,钝化层厚度为500 nm,S为0μm时,击穿电压达到最大为-900 V.因此,该器件可以应用在高电压的电路中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李志远	哈尔滨工程大学信息与通信工程学院	8	37	2.0	6.0
2	马亚超	哈尔滨工程大学信息与通信工程学院	2	0	0.0	0.0