不同粒径磨料对蓝宝石晶片及其抛光过程的影响

• 作者: 刘景和 张丽萍 曾繁明 李建勳 李春 林海 沈正皓 苗如林 郭立 陈庆敏
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 蓝宝石 碳化硼磨料 移除速率 损伤层 粗糙度
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 页码范围: 59-63
• 页数: 5页
• 分类号: O786
• 语种: 中文
• DOI: 10.14062/j.issn.0454-5648.2018.01.08

摘要

采用不同粒径的W28和W7碳化硼(B4C)磨料对蓝宝石晶片进行研磨和化学机械抛光.研究了不同粒径的B4C磨料对蓝宝石晶片研磨和化学机械抛光后的移除率、粗糙度、平坦度、弯曲度、翘曲度等参数的影响.结果表明:W28和W7的磨料有不同的研磨和抛光性能,在相同的加工条件下,使用W28的B4C磨料,移除速率较快,但研磨所得蓝宝石晶片的损伤层较深,单面抛光20μm不足以去除其损伤层,抛光后表面划痕较多,粗糙度较大(Ra=1.319 nm,Rt=2.584 nm),表面有明显起伏;而W7磨料的移除速率慢,研磨时间长,在单面抛光移除20μm后其损伤层全部移除,抛光所得蓝宝石晶片平坦度略佳,抛光表面平整,粗糙度较小(Ra=0.194 nm,Rt=0.361 nm),无明显起伏,表面质量相对较高,适于精修平坦度.