铁杂质对真空定向凝固多晶硅电阻率的影响

• 作者: 高志明
• 来源期刊: 化工设计通讯
• 学科: 工学
• 关键词: Fe杂质 真空定向凝固 多晶硅 电阻率 赋存形式
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 所属期刊栏目: 工艺与设备
• 页码范围: 78
• 页数: 1页
• 分类号: TN304.12
• 字数: 1250字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-6490.2018.09.066

摘要

应用有效的测试仪器和分析设备对真空定向凝固多晶硅中铁杂质的赋存形态,以及硅锭从底部到顶部的四个特征位置的径向电阻率的分布情况进行研究.研究表明,铁杂质在真空定向凝固多晶硅之中主要以a-Fe(Si)和β-Fe(Si)两种赋存形态存在.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高志明		3	3	1.0	1.0