GaN衬底上Hf0.5Zr0.5O2薄膜的阻变性能与机理研究

• 作者: 吴智鹏 朱俊 陈晓倩
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 阻变 铁电 异质结 RRAM 脉冲激光沉积 肖特基发射
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 所属期刊栏目: 热点与关注
• 页码范围: 5-8,15
• 页数: 5页
• 分类号: TB34
• 字数: 2423字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.09.002

摘要

采用脉冲激光沉积法在n-GaN衬底上制备了铁电Hf0.5 Zr0.5 O2薄膜,通过测量样品的P-E曲线与I-V特性曲线研究该异质结构的铁电特性及阻变特性.测试结果表明HZO薄膜具有良好的铁电极化特性及双极性电阻开关特性,HZO薄膜的阻值开关比达104.薄膜同时还表现出良好的抗疲劳特性和保持特性,80次翻转后窗口保持同一个数量级,在105 s内器件仍保持稳定.对薄膜的I-V曲线进行拟合分析,表明该薄膜的导电机理为界面肖特基发射模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱俊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	34	102	5.0	6.0
2	陈晓倩	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	1	1.0	1.0
3	吴智鹏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	4	1.0	1.0