不同预退火温度对制备Cu2 SnS3薄膜材料的影响

• 作者: 刘思佳 李志山 杨敏 王书荣 蒋志 赵其琛 陆熠磊
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铜锡硫(CTS)薄膜 射频磁控溅射 预退火处理 硫化
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 769-772,763
• 页数: 5页
• 分类号: TK51
• 字数: 3067字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2018.05.015

摘要

采用射频磁控溅射技术在钠钙玻璃(SLG)上制备Sn/Cu/Sn/Cu金属预制层,将预制层置于不同温度下进行预退火处理后,对样品进行快速硫化得到Cu2SnS3(CTS)薄膜.主要研究不同的预退火温度对最终薄膜结构以及光电性能的影响,结果表明,低温预退火对快速硫化法制备高品质CTS薄膜有重要影响,当退火温度为200℃时可获得结晶质量良好晶粒尺寸大且平整致密的CTS薄膜.利用各种表征方法分别对薄膜的晶体结构、表面形貌、相的纯度和薄膜组分进行分析表征,薄膜的电学、光学性能通过霍尔效应测试仪和紫外可见分光光度计进行测试分析.