多晶硅片湿法切边背抛光对转换效率的影响研究

• 作者: 李雪方 武佳娜 焦朋府
• 来源期刊: 山西化工
• 学科: 工学
• 关键词: 湿法切边 背抛光[1] 刻蚀深度
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 科研与开发
• 页码范围: 19-21,42
• 页数: 4页
• 分类号: TM615
• 字数: 1966字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16525/j.cnki.cn14-1109/tq.2018.03.07

摘要

太阳能作为一种绿色、清洁的可再生能源被广泛利用.多晶硅太阳能电池就是利用太阳能发电的产品,价格相对低廉.对湿法切边工艺参数进行研究,得出适合太阳能电池片生产线的参考工艺配方.实验采用HF、HNO3的混合酸溶液进行多晶硅片太阳能电池湿法边缘去除即去除侧面的p-n结,背面p-n结去除同时进行背面抛光处理.结果表明,当背面反射率为28％～30％时,电池片的转换效率最佳,平均转换效率高于生产线0.05％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	焦朋府		14	3	1.0	1.0
2	李雪方		7	2	1.0	1.0
3	武佳娜		3	1	1.0	1.0