全原子经验赝势法模拟InAs/InAsSbⅡ类超晶格

• 作者: 詹锋 马玲丽
• 来源期刊: 广西大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: Ⅱ型超晶格 全原子经验赝势 跃迁矩阵元
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 2462-2469
• 页数: 8页
• 分类号: O411.3
• 字数: 3311字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13624/j.cnki.issn.1001-7445.2018.2462

摘要

为了研究InAs/InAs1-x SbxⅡ类超晶格结构的物理特性,首次采用全原子的经验赝势方法对InAs/InAs1-x Sbx结构进行模拟,并对体系的近带边能级﹑单粒子波函数和带边跃迁矩阵元进行了计算.结果表明,量子限制效应造成超晶格带隙的宽化;超晶格中基态电子主要局域在InAs层,基态空穴主要局域在合金层,与相关体材料及I型超晶格所做的对比结果表明,电子﹑空穴的物理分离效应是造成体系载流子寿命较长的重要原因;将带边跃迁矩阵元作为衡量载流子寿命的重要元素,针对固定波段的超晶格系统进行优化,最终得到带边跃迁矩阵元更小的体系(163?)InAs/(82?)InAs0.72 Sb0.28结构,其跃迁矩阵元是0.0106843 a.u..

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马玲丽	有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室广西大学资源环境与材料学院	1	0	0.0	0.0
2	詹锋	有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室广西大学资源环境与材料学院	1	0	0.0	0.0