4×15Gbit/s 850nm垂直腔面发射激光器列阵

• 作者: 于洪岩 兰天 吕朝晨 周广正 尧舜 张文甲 张杨 李颖 梁辰余 王光辉 王智勇 王青 贾海峰 赵风春 郎陆广
• 来源期刊: 光学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 激光器 激光光学 高速调制垂直腔面发射激光器列阵 金属有机物化学气相沉积 外延结构 芯片工艺 静态和动态特性
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 激光器与激光光学
• 页码范围: 141-147
• 页数: 7页
• 分类号: TN248.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/AOS201838.0514001

摘要

采用金属有机物化学气相沉积设备生长InGaAs/AlGaAs应变多量子阱有源区和双氧化限制层的外延整体结构,利用断点监控电感耦合等离子体刻蚀技术、精确湿法氧化控制技术等芯片制造技术,实现了氧化孔径为 7 μm、相邻单元间隔为250 μm的高速调制4× 15 Gbit/s 850 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵.测试得到了 VCSEL列阵的静态特性和动态特性:阈值电流为0.7 mA,斜效率为0.8 W/A;在6 mA工作电流下,工作电压为 2.3 V,光功率为4.5 mW.在15 Gbit/s调制速率下,眼图轮廓清晰,线迹很细,抖动较小且无明显串扰.对比列阵各单元在15 Gbit/s调制速率下眼图的上升时间、下降时间、信噪比、均方根抖动等相关参数,结果表明其动态性能的一致性良好.利用箱线图分析得出外延片上VCSEL器件性能的一致性能良好,能够满足批量生产的要求.