金属氧化物薄膜晶体管电特性参数的提取

• 作者: 何永阳 陈文彬 陈赞
• 来源期刊: 实验室研究与探索
• 学科: 工学
• 关键词: 金属氧化物薄膜晶体管 电特性参数 刻蚀阻挡型
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 所属期刊栏目: 实验技术
• 页码范围: 42-44,48
• 页数: 4页
• 分类号: TN321+.5|G482
• 字数: 1899字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-7167.2018.11.011

摘要

采用磁控溅射法制备了底栅反交叠刻蚀阻挡型(ES)金属氧化物薄膜晶体管(α-IGZO TFT),测试了TFT电流-电压特性曲线.根据TFT的一级近似模型,结合实验数据提出了TFT电特性参数提取方法.在TFT的线性区和饱和区采用线性拟合提取了TFT的场效应迁移率和阈值电压,定义了TFT的开态电流和关态电流,在TFT的亚阈值区分别采用线性拟合和一阶导数的方法提取了TFT的亚阈值摆幅.通过筛选测试条件和数据拟合范围,得到α-IGZO TFT线性区和饱和区场效应迁移率和阈值电压分别为6.27 cm2/V·s和7.7 V;7.24 cm2/V·s和4.3V,α-IGZO TFT的开关比和亚阈值摆幅分别为109和272 mV/dec.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈文彬	电子科技大学光电信息学院	45	202	8.0	11.0
2	何永阳	电子科技大学光电信息学院	1	0	0.0	0.0
3	陈赞	电子科技大学光电信息学院	1	0	0.0	0.0