基于新型半导体材料氮化镓(GaN)的全桥逆变实验装置

• 作者: 曹桂梅 李宇
• 来源期刊: 科教导刊-电子版（下旬）
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓(GaN) 全桥拓扑 逆变器
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 科学技术
• 页码范围: 270
• 页数: 1页
• 分类号: TM461
• 字数: 847字
• 语种: 中文

摘要

针对传统小型逆变器存在功率密度低、转换效率低及体积较大的问题,本文提出一种基于新型半导体材料氮化镓(GaN)的全桥拓扑分析,在分析氮化镓(GaN)GS66502的等效电路基础上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李宇	重庆理工大学电气与电子工程学院	2	0	0.0	0.0
2	曹桂梅	重庆理工大学电气与电子工程学院	2	0	0.0	0.0