硅上的多通道三栅极III-氮化物高电子迁移率晶体管

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 三栅极 多通道 高电子迁移率晶体管 漏极电流 导通电阻 III
• 年，卷（期）: bdtxx_2019,（1）
• 页码范围: 2-4
• 页数: 3页
• 分类号: TN386

摘要

目前瑞士和中国的研究人员共同制造出具有五个III族氮化物半导体沟道能级的三栅极金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管,从而提高了静电控制和驱动电流。瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL)和中国的Enkris半导体公司所制造的材料结构由5个平行层组成,包括10nm氮化铝镓(AlGaN)阻挡层,1nm AlN间隔层和10nm GaN沟道(图1)。