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摘要:
基于SiC衬底的0.25μm GaN HEMT工艺,设计了一款X~Ku波段宽带1 W驱动放大器单片微波集成电路.设计使用了一种有源器件的大信号输出阻抗的等效RC模型验证了GaN HEMT工艺模型的准确性,并获得了不同尺寸的GaN HEMT的大信号输出阻抗.第一级管芯采用负反馈结构,降低匹配网络的Q值,通过带通匹配网络拓扑,实现了宽带匹配.测试结果表明,在28 V的工作电压下,8~18 GHz的频率内驱动放大器实现了输出功率大于30 dBm,功率附加效率大于21%,功率增益大于15 dB.芯片尺寸为:2.20 mm×1.45 mm.该芯片电路具有频带宽、效率高、尺寸小的特点,主要用于毫米波收发组件、无线通讯等领域,具有广泛的应用前景.
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文献信息
篇名 X~Ku波段宽带驱动放大器设计
来源期刊 强激光与粒子束 学科 工学
关键词 X~Ku波段 氮化镓 驱动放大器 负反馈 单片微波集成电路
年,卷(期) 2019,(3) 所属期刊栏目 高功率微波
研究方向 页码范围 21-25
页数 5页 分类号 TN432
字数 1399字 语种 中文
DOI 10.11884/HPLPB201931.180342
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 周守利 浙江工业大学信息工程学院 26 40 4.0 5.0
2 李如春 浙江工业大学信息工程学院 40 143 7.0 10.0
3 周赡成 浙江工业大学信息工程学院 2 3 1.0 1.0
4 陈瑞涛 浙江工业大学信息工程学院 1 2 1.0 1.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
X~Ku波段
氮化镓
驱动放大器
负反馈
单片微波集成电路
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
强激光与粒子束
月刊
1001-4322
51-1311/O4
大16开
四川绵阳919-805信箱
62-76
1989
chi
出版文献量(篇)
9833
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7
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61664
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