PTO种子层对PZT铁电薄膜结晶温度和电学性能的影响

• 作者: 刘文燕 周益春 姜杰 杨琼
• 来源期刊: 湘潭大学学报:自然科学版
• 学科: 数学
• 关键词: PZT铁电薄膜 PTO种子层 溶胶-凝胶法 电学性能
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 页码范围: 22-29
• 页数: 8页
• 分类号: O152.1

摘要

该文采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了PZT和PZT/PTO两种结构的铁电薄膜,通过PTO种子层调控PZT薄膜的微观结构和电学性能.研究发现,加入PTO种子层之后,薄膜的SEM图像呈现出更加致密的形态,晶粒分布较均匀.PZT/PTO铁电薄膜在550℃下退火后测得的剩余极化强度比PZT薄膜650℃下退火获得的剩余极化强度要大,说明种子层的加入降低了薄膜的结晶温度.此外,加入PTO种子层后,PZT铁电薄膜的介电常数升高,介电损耗降低,抗疲劳性能也变好,薄膜的电学性能得到了较好的改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周益春	湘潭大学教育部低维材料及应用技术重点实验室	108	552	11.0	21.0
2	杨琼	湘潭大学教育部低维材料及应用技术重点实验室	6	3	1.0	1.0
3	刘文燕	湘潭大学教育部低维材料及应用技术重点实验室	4	0	0.0	0.0
4	姜杰	湘潭大学教育部低维材料及应用技术重点实验室	5	3	1.0	1.0