G1J50M合金磁性能退化预报模型与微观机理

• 作者: 姜龙涛 宫灯 王军锋 王晓光
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: G1J50M合金 饱和磁化强度 磁畴 退化模型 可靠性
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 67-70,76
• 页数: 5页
• 分类号: TH823
• 字数: 2888字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.03.012

摘要

为丰富可靠性工程的基础研究,针对温度加速试验的G1J50M软磁合金进行显微组织与磁性能演化规律分析.G1J50M合金在加速贮存期间饱和磁化强度发生不可逆退化.加速贮存破坏了G1J50M合金畴壁附近磁矩的排列,磁畴形状改变,畴宽分布范围增大,从而使自发磁化场强度逐渐减弱.G1J50M合金饱和磁化强度值在贮存当量20年内退化约4.82％.基于磁畴宽度的磁性能退化预报模型将有助于指导并优化稳定化贮存工艺.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姜龙涛	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	57	890	15.0	28.0
2	宫灯	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	5	0	0.0	0.0
3	王军锋	中国工程物理研究院电子工程研究所	2	0	0.0	0.0
4	王晓光	中国工程物理研究院电子工程研究所	2	0	0.0	0.0