GaN基肖特基势垒二极管的漏电流传输与退化机制

• 作者: 任舰 李文佳 苏丽娜 闫大为 顾晓峰
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: GaN AlGaN/GaN 漏电流 肖特基势垒二极管 退化
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 802-805
• 页数: 4页
• 分类号: TP211
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2019.06.011

摘要

通过比较反向偏压下 AlGaN/GaN异质结肖特基势垒二极管(SBD)和 GaN SBD的电流特性、电场分布和光发射位置,研究了 GaN基 SBD的漏电流传输与退化机制.结果表明,AlGaN/GaN SBD退化前后漏电流均由 Frenkel-Poole(FP)发射机制主导,而 GaN SBD低场下为FP发射电流,高场下则为 Fowler-Nordheim(FN)隧穿电流.电场模拟和光发射测试结果表明,引起退化的主要原因是高电场,由于结构不同,两种 SBD的退化机制和退化位置并不相同.根据实验结果,提出了一种高场 FN隧穿退化模型,该模型强调应力后三角势垒变薄导致 FN隧穿增强是GaN SBD退化的内在机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾晓峰	江南大学电子工程系	115	265	9.0	11.0
2	李文佳	淮阴师范学院计算机科学与技术学院	10	1	1.0	1.0
3	任舰	淮阴师范学院计算机科学与技术学院	12	1	1.0	1.0
4	苏丽娜	淮阴师范学院计算机科学与技术学院	10	1	1.0	1.0
5	闫大为	江南大学电子工程系	15	3	1.0	1.0