具有线性掺杂PN型降场层的新型槽栅LDMOS

• 作者: 姚佳飞 张振宇 张泽平 杨可萌 邓钰 郭宇锋
• 来源期刊: 南京邮电大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 线性掺杂 击穿电压 导通电阻 槽栅 LDMOS
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 通信与电子
• 页码范围: 22-27
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2515字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14132/j.cnki.1673-5439.2019.06.004

摘要

文中提出了一种具有线性掺杂PN型降场层的槽栅LDMOS器件(LDPN TG-LDMOS),以期获得较高的击穿电压和较低的导通电阻.线性掺杂PN型降场层能够优化器件的表面电场并降低结处的电场峰值,从而提高器件的击穿电压.同时,线性掺杂PN型降场层对N型漂移区的辅助耗尽作用能够提高器件的漂移区掺杂浓度,从而降低导通电阻.仿真结果表明,与常规的槽栅LDMOS相比,具有线性掺杂PN型降场层的槽栅LDMOS器件的击穿电压提高了28％,导通电阻降低了50％.