SiC籽晶上生长AlN单晶的杂质组成及处理

• 作者: 史月增 张丽 程红娟 金雷 齐海涛
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铝单晶 碳化硅籽晶 杂质组成 杂质处理
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 页码范围: 27-32
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.14062/j.issn.0454-5648.2019.01.03

摘要

采用物理气相传输法在SiC异质籽晶上制备了AlN单晶.通过Raman光谱仪、X射线衍射仪、二次离子质谱仪和X射线光电子能谱研究了AlN单晶的结晶质量和杂质成分,针对不同的杂质成分提出了相应的处理方式.结果表明:C、O为AlN单晶中的主要杂质元素,其中C元素为非故意掺杂,与AlN单晶的生长环境密切相关,随着生长晶体厚度的增加,C杂质元素的含量逐渐降低.而O元素除了源粉和生长系统中吸附氧外,还与抛光过程中形成的氧化物层有关;经腐蚀和退火处理,AlN表面氧化物的含量大幅降低,N/Al摩尔比接近1;经杂质处理后的AlN单晶片可作为同质生长的籽晶.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程红娟	中国电子科技集团公司第四十六研究所	44	47	4.0	5.0
2	张丽	中国电子科技集团公司第四十六研究所	19	44	3.0	5.0
3	齐海涛	中国电子科技集团公司第四十六研究所	20	30	3.0	4.0
4	史月增	中国电子科技集团公司第四十六研究所	11	16	3.0	3.0
5	金雷	中国电子科技集团公司第四十六研究所	13	13	2.0	2.0