磁控溅镀法制备Al掺杂ZnO薄膜的特性分析

• 作者: 娄本浊 孙彦清 黄朝军
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 透明导电薄膜 ZnO薄膜 Al掺杂 柔性基板 射频磁控溅镀 光电特性
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 485-490
• 页数: 6页
• 分类号: TB383.2
• 字数: 3913字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2019.03.020

摘要

以射频磁控溅镀法在柔性聚碳酸酯基板上成长Al掺杂ZnO薄膜,利用XRD、AES、霍尔效应测试仪及单色分光计测量分析Al靶功率对薄膜光电特性的影响.XRD分析表明所有薄膜的衍射峰皆以(002)面为主,Al靶功率为25 W时(002)面衍射峰强度最大,此时薄膜结晶性最佳;AES分析表明随着Al靶功率的增大,Al含量由0 at.％增至18.01 at.％,Zn含量则由72.51 at.％降至38.39 at.％,而O含量没有太大变化,这说明Al可以取代ZnO中Zn的位置;霍尔效应测量表明Al靶功率为25 W时电阻率最小,约为7.75×10-4Ω·cm,而载子浓度及其迁移率则达到最大,分别约为9.35×1020 cm-3与8.64 cm2/(V·s);分光计测量表明薄膜在可见光区的平均透射率可约达90％以上,说明本研究制备的Al掺杂ZnO薄膜是具有高透射率的透明导电薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙彦清	陕西理工大学物理与电信工程学院	41	96	5.0	7.0
2	娄本浊	陕西理工大学物理与电信工程学院	73	147	6.0	8.0
3	黄朝军	陕西理工大学物理与电信工程学院	49	214	8.0	12.0