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摘要:
梳齿型微机电系统(MEMS)陀螺的释放要求结构具有垂直度高、释放过程沉积聚合物少的特点,通过优化深硅刻蚀的工艺参数,包括钝化气体八氟环丁烷(C4F8)的流量、衬底温度、刻蚀气体六氟化硫(SF6)的流量和钝化气体C4F8的压力,实现了结构垂直度为90.0°、支撑层表面沉积物厚度为87.1nm的梳齿结构释放工艺.深硅刻蚀工艺的优化为高性能MEMS陀螺的加工提供了基础.
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文献信息
篇名 高垂直度和低沉积的MEMS陀螺梳齿结构释放工艺
来源期刊 飞控与探测 学科 航空航天
关键词 MEMS陀螺 结构释放 深硅刻蚀 高垂直度 聚合物
年,卷(期) 2019,(1) 所属期刊栏目 惯性与伺服技术
研究方向 页码范围 56-60
页数 5页 分类号 V249
字数 2604字 语种 中文
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期刊影响力
飞控与探测
双月刊
2096-5974
10-1567/TJ
大16开
上海市闵行区中春路1555号上海航天控制技术研究所《飞控与探测》编辑部
2018
chi
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