超结功率半导体器件

• 作者: 乔明 张波 李肇基 章文通 蒲松
• 来源期刊: 微纳电子与智能制造
• 学科: 工学
• 关键词: 功率半导体 超结器件 结型耐压层 硅极限
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 页码范围: 5-19
• 页数: 15页
• 分类号: TN386

摘要

超结功率半导体器件是一类具有超结耐压层的重要器件,超结将PN结引入到常规"电阻型"耐压层中,使之质变为"结型耐压层",这种质变突破传统功率器件比导通电阻和耐压之间的Ron,sp∝VB^2.5"硅极限"关系,使之降低到Ron,sp∝VB^1.32,甚至Ron,sp∝VB^1.03,超结器件也因此被誉为功率半导体器件的"里程碑"。从耐压层角度回顾功率半导体40年发展的3个里程碑,综述了超结的发明、概念与机理、技术与新结构,并总结超结发展历程与趋势。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	电子科技大学电子科学与工程学院	206	1313	17.0	26.0
2	李肇基	电子科技大学电子科学与工程学院	85	958	14.0	28.0
3	乔明	电子科技大学电子科学与工程学院	35	178	8.0	12.0
4	章文通	电子科技大学电子科学与工程学院	3	0	0.0	0.0
5	蒲松	电子科技大学电子科学与工程学院	1	0	0.0	0.0