<100>P型4英寸低位错锗晶体电阻率径向均匀性的研究

• 作者: 冯德伸 李葳 王霈文 高欢欢 黎建明
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 锗单晶 直拉法 数值模拟 固液界面 电阻率均匀性
• 年，卷（期）: 2019,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 967-973
• 页数: 7页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文
• DOI: 10.13373/j.cnki.cjrm.XY17030010

摘要

P型锗单晶作为空间太阳电池外延层的衬底片,其电阻率均匀一致性极为重要.在直拉法锗晶体生长中,固液界面即为结晶前沿的等电阻面、等杂质浓度面.固液界面的形状和晶体中径向电阻率均匀性直接相关,对晶体质量有重大影响.因此,要提高外延层衬底片质量就是要控制晶体生长过程中的固液界面形状.晶体生长系统的热场分布和晶体生长工艺参数影响着固液界面的形状.结合数值模拟对影响固液界面形状的因素进行了研究,在TDR-Z80炉中进行的晶体界面实验、高电阻率均匀性单晶生长实验和数值模拟结果基本一致.同时对低位错锗单晶电阻率均匀性进行了表征与研究.优化工艺前的电阻率均匀性大于15％.优化工艺后获得的相对平坦固液界面极大地提高了径向电阻率均匀性,并且可控制在5％以内.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黎建明		14	61	5.0	7.0
2	王霈文		8	14	2.0	3.0
3	冯德伸		8	53	4.0	7.0
4	李葳		2	3	1.0	1.0
5	高欢欢		2	3	1.0	1.0