GaN基紫外LED芯片性能提升研究

• 作者: 李建婷 林琳
• 来源期刊: 电子元器件与信息技术
• 关键词: 紫外LED 氮化镓 高反电极 CBL
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 电子器件
• 页码范围: 89-91
• 页数: 3页
• 字数: 1234字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19772/j.cnki.2096-4455.2019.4.026

摘要

通过采用双层ITO、高反电极、PN电极下CBL等国内领先的芯片制备技术,制作得到的中功率10*30规格芯片,在150mA电流下,其工作电压可控制在3.4V以内,芯片的光功率可达到220～240mW.使用300mA加速老化条件下持续点亮168h光功率衰减最大为12.4％,芯片可靠性高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李建婷		4	6	1.0	2.0
2	林琳		1	4	1.0	1.0