100nm GaN基6～18GHz低噪声放大器的研制

• 作者: 吴少兵 李建平
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 宽带 低噪声放大器
• 年，卷（期）: 2019,（9）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 28-31,47
• 页数: 5页
• 分类号: TN722.3
• 字数: 1711字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0907

摘要

基于南京电子器件研究所的100 nm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了6～18 GHz宽带低噪声放大器.低噪声单片电路采用了三级结构,偏置电压为12V,电流约为70 mA时,在6～18 GHz频带内噪声系数小于1.7 dB,增益大于25 dB,驻波此小于2,1dB增益压缩点输出功率带内最小值约为10 dBm.前两级采用电流复用结构,降低了功耗;后级采用并联反馈结构,改善带内增益平坦度.芯片尺寸为2.0 mm×1.35 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李建平		8	49	4.0	7.0
2	吴少兵		1	0	0.0	0.0