γ射线作用下氧化铪基MOS结构总剂量效应研究

• 作者: 丁曼
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化铪 金属-氧化物-半导体器件 伽马射线 电离总剂量效应
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 核科学与工程
• 页码范围: 114-118
• 页数: 5页
• 分类号: TM85
• 字数: 3496字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201931.180330

摘要

使用原子层淀积方法得到了7.8 nm厚度的HfO 2薄膜并通过直接溅射金属铝电极得到了Al/HfO 2/Si MOS电容结构,测量得到了HfO 2基MOS结构在60 Coγ射线辐照前后的电容-电压特性,使用原子力显微镜得到了HfO 2薄膜在辐照前后的表面微观形貌,使用X射线光电子能谱方法测量得到了HfO 2薄膜在辐照前后的化学结构变化.研究发现,使用原子层淀积方法制备的HfO 2薄膜表面质量较高;γ射线辐照在HfO 2栅介质中产生了数量级为1012 cm-2的负的氧化层陷阱电荷;HfO 2薄膜符合化学计量比,介质内部主要的缺陷为氧空位且随着辐照剂量的增加而增加,说明辐照在介质中引入了陷阱从而导致MOS结构性能的退化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁曼	河海大学能源与电气学院	3	3	1.0	1.0