部分埋氧的超结Trench VDMOS的设计与研究

• 作者: 徐申 范文天 问磊
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: Trench VDMOS 超结 抗辐照 SOI Sentaurus
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 541-544
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1675字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2019.03.001

摘要

在原有的超结Trench VDMOS技术的基础上引入部分埋氧层,设计了一种新型的部分埋氧的抗辐照超结沟槽功率器件.在Sentaurus TCAD软件环境下,使用SDE和Sdevice仿真模拟,通过调节部分埋氧层的长度,埋氧深度以及厚度等参数,对其耐压,导通电阻,动态特性以及抗辐照能力进行仿真和分析.当埋氧层深度为0.8 μm,埋氧层长度0.4 μm,其耐压相对于传统的超结Trench VDMOS提高了10%,Vgate=4.5 V时Rdson为7.74E4 Ω·μm,器件抗辐照能力大大提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐申	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	21	156	8.0	12.0
2	问磊	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	1	0	0.0	0.0
3	范文天	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	1	0	0.0	0.0