非晶CuNiSnO薄膜的生长与光电性能

• 作者: 叶志镇 吕容恺 吕建国 岳士录 程晓涵 陈凌翔
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 脉冲激光沉积 p型导电 非晶氧化物半导体 CuNiSnO 薄膜 生长温度
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 876-879
• 页数: 4页
• 分类号: TB383.2|TN304.055
• 字数: 3197字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2019.06.004

摘要

采用脉冲激光沉积(PLD)法制备出一种新型的p型非晶氧化物-半导体非晶CuNiSnO(CNTO).CNTO薄膜分别在室温(RT)与300℃的生长条件下获得,对其结构、光学和电学性能进行研究.研究结果表明,所得的CNTO薄膜为非晶态,表面平整,元素分布均匀.当衬底温度由RT升高至300℃时,CNTO薄膜的粗糙度由0.38nm下降至0.26nm;电阻率由高阻态转变为p型导电态,空穴浓度为4.06×1014/cm3.在300℃下生长的非晶CNTO薄膜表现为明显的p型导电,气敏测试结果进一步佐证了这一结论.此外,非晶CNTO薄膜可见光透过率达80％以上,为宽禁带非晶氧化物半导体,有望向透明显示领域发展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕建国	浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验室	35	769	12.0	27.0
2	陈凌翔	浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验室	6	13	3.0	3.0
3	程晓涵	浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	岳士录	浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
5	吕容恺	浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验室	1	0	0.0	0.0