用生长/氢等离子体交替处理堆积层表面技术制备微晶硅薄膜

• 作者: 曾涛 胡跃辉 陈光华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: LBL生长技术 微晶硅薄膜 光电导衰退 模拟光照
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1237-1241
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.8
• 字数: 2725字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.08.014

摘要

利用HW-MWECR CVD系统,用氢等离子体处理间隙生长堆积层表面技术,制备了一系列不同厚度的μc-Si:H薄膜.发现,当薄膜厚度在0.55μm以下时,样品具有较为典型的非晶硅特征,光电导衰退率很大;当薄膜厚度为0.60～0.70μm之间时,样品兼备非晶和微晶的特点,在这一厚度范围内,光电导随薄膜厚度变化非常敏感,光电导衰退率较小;当薄膜厚度为0.80μm以上时,薄膜表现为明显的微晶硅性质,其光电导衰退率很小,通过模拟光照53.5h,其光电导几乎不变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡跃辉		54	127	6.0	8.0
2	陈光华	北京工业大学材料学院	65	396	11.0	16.0
3	曾涛		20	11	3.0	3.0