基于GaN工艺S波段高功率放大模块的设计

• 作者: 王强 闫冲 马东磊
• 来源期刊: 电子质量
• 学科: 工学
• 关键词: GaN S波段 高功率放大模块
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 实验室特写
• 页码范围: 73-76
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.75
• 字数: 1393字
• 语种: 中文

摘要

随着无线通信、雷达等领域的高速发展,微波产品尤其是功率放大模块呈现出高功率、低功耗、轻量化、小型化、易使用的发展趋势,这就要求功率放大器具备更高的效率以及更高的工作结温,基于新一代宽禁带半导体材料,GaN功率放大器能够满足该需求.该文采用CREE公司的GaN功放管CGH40010F研制了一款S波段高功率放大模块,包括模块各部分电路设计及结构盒体设计.测试结果显示,在2.2～2.4GHz带宽内增益≥40dB,饱和输出功率≥10W,工作效率≥50％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫冲		2	3	1.0	1.0
2	王强		2	3	1.0	1.0
3	马东磊		3	3	1.0	1.0